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Ge和In掺杂不仅优化了Seebeck系数,人替而且显著提高了载流子浓度和电导率,有助于在宽温度范围内保持高功率因数。最终,重前终归正轨这些协同效应使In、Ge掺杂SnSe纳米片获得了高宽温域热电性能,有助于拓展材料的应用。
【导读】热电材料可以实现热能与电能间的直接相互转换,当无到人是一种极具发展潜力的清洁能源材料。溶液合成法生成了Ge、人替In双掺杂SnSe纳米片,研究发现通过引入Ge和In明显降低了晶粒尺寸,生成了50-100nm的纳米片。利用Ge、重前终归正轨In双掺杂提升SnSe材料的电子态密度,优化全温域塞贝克系数和功率因子。
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人替中科院金属所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部主任。他们首先指出,重前终归正轨减少漏致势垒降低(DIBL)和亚阈值摆幅(SS)退化等短沟道效应影响的关键在于减小自然长度(naturallength),重前终归正轨它反比于晶体管的栅数量N,正比于沟道厚度TS。
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